胡夏融

个人简介

胡夏融,男,1984年8月生,四川成都人,博士毕业于电子科技大学微电子学与固体电子学专业,后到IM电竞登录工作至今。研究方向主要包括功率半导体器件及集成电路设计。目前已发表SCI、EI论文共计10余篇并承担多项纵向及横向项目。在教学方面,为本科生讲授《集成电路原理》、《模拟集成电路设计》、《数字集成电路设计》、《电磁场与电磁波》、《通信原理》、《大学物理》、《微电子器件原理》、《科学技术发展简史与前沿》等数十余门课程。

工作经历

2013.07-至今 IM电竞登录,im电竞体育,物理系,从事高压功率器件设计及功率集成电路设计方面的工作

教育经历

2009.09-2013.06: 电子科技大学,微电子与固体电子学专业,博士,主要从事LDMOS的设计和建模方向的研究2007.09-2009.06: 电子科技大学,微电子与固体电子学专业,硕士(硕博连读)中国电子科技集团公司第24研究所,模拟集成电路设计2003.09-2007.06: 电子科技大学,电子科学与技术(微电子技术),本科

研究方向

高压功率器件与智能功率集成电路设计

学术成果

以第一作者或通讯作者发表的期刊论文如下:

[1]Dong Liu,Mingyue Li,Yangjie Ou,Zhong Lan,Maosen Tang,Weibo Wang,Xiarong Hu. 1.2 kV 4H‐SiC planar power MOSFETs with a low‐K dielectric in central gate[J]. IET Circuits, Devices & Systems,2022, 1-8(SCI)

[2]Xiarong Hu, Weibo Wang, Lv Rui. The differences between N- and N+ buried layers in improving the breakdown voltage of RESURF LDMOSFETs[J].INTERNATIONAL JOURNAL OF NUMERICAL MODELLING-ELECTRONIC NETWORKS DEVICES AND FIELDS, 2019,33:e2693(SCI)

[3]Xiarong Hu, Weibo Wang, Yupin Ji, and Qing Hua. The influence of the N+ floating layer on the drift doping of RESURF LDMOS and its analytical model[J]. IEICE Electronics Express, 2016,13(20):1-6 (SCI)

[4]Hu Xiarong, Lv Rui. An analytical model for the vertical electric field distribution and optimization of high voltage REBULF LDMOS[J]. Chin. Phys. B, 2014, 23(12):128501(SCI)

[5] Xiarong Hu, Bo Zhang, Xiaorong Luo, and Zhaoji Li. Analytical models for the electric field distributions and breakdown voltage of triple RESURF SOI LDMOS[J]. Solid-State Electron, 2012, 69: 89-93(SCI)

[6] Xiarong Hu, Bo Zhang, Xiaorong Luo, Yongheng Jiang, and Zhaoji Li. SOI LDMOS with a variable-k dielectric trench[J]. Electron Letter, 2012, 48(19): 1235-1237(SCI)

[7] Hu Xiarong, Zhang Bo, Luo Xiaorong, Wang Yuangang, Lei Tianfei, and Li Zhaoji. A new analytical model for the surface electric field distribution and breakdown voltage of the SOI trench LDMOS[J]. Chin. Phys. B, 2012, 21(7):078502(SCI)

[8] Hu Xiarong, Zhang Bo, Luo Xiaorong, and Li Zhaoji. Universal trench design method for high voltage SOI trench LDMOS[J]. Journal of Semiconductors, 2012, 33(7):074006(EI)

[9] Hu Xiarong, Zhang Bo, Luo Xiaorong, Yao Guoliang, Chen Xi, and Li Zhaoji. A new high voltage SOI LDMOS with triple RESURF structure[J]. Journal of Semiconductors, 2011, 32(7):074006(EI)

  

教学工作

本人为微电子科学与工程,信息工程,通信工程专业学生主讲的课程共10余门:
《集成电路原理》
《模拟集成电路设计》
《数字集成电路设计》
《电磁场与电磁波》
《大学物理》
《通信原理》

《微电子器件原理》

《科学技术发展简史与前沿》


荣誉奖励

社会兼职

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